Intel'den 1nm Yonga Seti Geliyor: 2025'i Hedef Gösterdi

Intel 1nm yonga setini içeren 2025 planlarını duyurdu. Intel, 2025'e kadar çizeceği yol haritasını ayrıntılarıyla açıkladı. Intel duyurduğu teknolojilerle nanometre kavramını ortadan kaldıracağını ve angstrom birimine geçiş yapacağını söylüyor.

Pazartesi akşamı bir canlı yayında Intel CEO'su Pat Gelsinger, şirketin gelecek planlarından bazılarını detaylandırdı ve 2025 yılına kadar gözden geçirilmiş ürün yol haritasını sundu. Duyurunun bir kısmı yapılar için yeni bir adlandırma da içeriyor.

Habere geçmeden önce duyuruların biraz karışık olduğunu belirtmekte fayda var. Tüm teknik ayrıntılarla ilgilenmeyenler için haberin kısa bir versiyonu şöyle: Intel, 2023'te müşterilere 7nm donanım ve ardından 2024'te 1nm altı donanım sağlama hedefleriyle yeni birkaç yıl için ürün planını ayrıntılı olarak açıkladı. Çoğu kullanıcı için bu önümüzdeki yıllarda daha hızlı Intel CPU'lara anlamına geliyor.

Intel 1nm yonga setini içeren 2025 planlarını duyurdu

Intel, müşteriler için işleri basitleştirmenin bir yolu olarak yeni adlandırma yapısını lanse etti. Başlangıç ​​olarak Intel'in 10nm Alder Lake artık Intel 7 adlı bir isim kullanacak. Daha önce bu yapının adı 'SuperFin Enhanced' idi. Kafa karıştırıcı gibi görünse de yaygın olarak kullanılan nanometre ölçümü ile aynı olmadığını belirtmekte fayda var.

Intel'in 10nm süreci, TSMC gibi şirketlerin 7nm mimarisiyle oldukça karşılaştırılabilir. Intel 7, SuperFin'e göre watt başına yüzde 10-15 performans artışıyla 2021 ve 2022'de Alder Lake ürünlerine yerleştirilecek.

Intel'in asıl 7nm Rocket Lake donanımı ise 2023 yılına kadar dağıtılmayacak. Bu yapı artık Intel 4 olarak adlandırılıyor ve şirket, Intel 4'ün watt başına yüzde 20 performans artışı sunacağını söylüyor. Intel ayrıca 2023'te Intel 3 isimli yapısında, Intel 4'e göre yüzde 18'lik bir watt başına performans artışı beklenen işlemciyi piyasaya sürmeye hazırlanıyor. 

Şirket 2025 yılına kadar 1 nm'den küçük transistörlü çip tasarımlarını tamamlamayı umuyor ve Intel bunu angstrom olarak yani 'A' ile ölçüyor. Intel'e göre nanometre başına 10 angstrom olacak. Örneğin Intel 20A mimarisi şirketin 'RibbonFET' transistörlerini kullanacak.

Ayrıca Intel 20A, güç dağıtımını bir yonga levhasının arkasına taşıyabilen bir teknoloji olan PowerVia'yı kullanacak. Bu teknolojinin sinyal iletimini daha verimli hale getireceği düşünülüyor. Son olarak, Intel 18A ise yine 2025 için geliştiriliyor. Şirket, transistör performansında bir başka sıçrama için RibbonFET'i iyileştireceğini de söylüyor.